- 您现在的位置：买卖IC网 > Sheet目录331 > IR2111PBF (International Rectifier)IC DRIVER HALF-BRIDGE 8-DIP
IR2111 ( S ) & (PbF)
Dynamic Electrical Characteristics
V BIAS (V CC , V BS ) = 15V, C L = 1000 pF and T A = 25 ° C unless otherwise specified. The dynamic electrical characteristics
are measured using the test circuit shown in figure 3.
Symbol
Definition
Min. Typ. Max. Units Test Conditions
ton
toff
tr
tf
DT
Turn-on propagation delay
Turn-off propagation delay
Turn-on rise time
Turn-off fall time
Deadtime, LS turn-off to HS turn-on &
550
—
—
—
480
750
150
80
40
650
950
180
130
65
820
ns
V S = 0V
V S = 600V
HS turn-off to LS turn-on
MT
Delay matching, HS & LS turn-on/off
—
30
—
Static Electrical Characteristics
V BIAS (V CC , V BS ) = 15V and T A = 25 ° C unless otherwise specified. The V IN , V TH and I IN parameters are referenced to
COM. The V O and I O parameters are referenced to COM and are applicable to the respective output leads: HO or LO.
Symbol
Definition
Min. Typ. Max. Units Test Conditions
V IH
Logic “1” input voltage for HO & logic “0” for LO
6.4
9.5
12.6
—
—
—
—
—
—
V CC = 10V
V CC = 15V
V CC = 20V
V IL
Logic “0” input voltage for HO & logic “1” for LO
—
—
3.8
V
V CC = 10V
—
—
—
—
6.0
8.3
V CC = 15V
V CC = 20V
V OH
High level output voltage, V BIAS - V O
—
—
100
I O = 0A
V OL
I LK
I QBS
I QCC
I IN+
I IN-
V BSUV+
V BSUV-
V CCUV+
V CCUV-
I O+
Low level output voltage, V O
Offset supply leakage current
Quiescent V BS supply current
Quiescent V CC supply current
Logic “1” input bias current
Logic “0” input bias current
V BS supply undervoltage positive going threshold
V BS supply undervoltage negative going threshold
V CC supply undervoltage positive going threshold
V CC supply undervoltage negative going threshold
Output high short circuit pulsed current
—
—
—
—
—
—
7.6
7.2
7.6
7.2
200
—
—
50
70
30
—
8.6
8.2
8.6
8.2
250
100
50
100
180
50
1.0
9.6
9.2
9.6
9.2
—
mV
μ A
V
I O = 0A
V B = V S = 600V
V IN = 0V or V CC
V IN = 0V or V CC
V IN = V CC
V IN = 0V
V O = 0V, V IN = V CC
mA
PW ≤ 10 μ s
I O-
Output low short circuit pulsed current
420
500
—
V O = 15V, V IN = 0V
PW ≤ 10 μ s
www.irf.com
3
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。
相关PDF资料
IR2112-1PBF
IC MOSFET DRVR HI/LO SIDE 14DIP
IR21141SSPBF
IC DRVR HALF BRIDGE 600V 24-SSOP
IR2118PBF
IC MOSFET DRIVER HIGH-SIDE 8-DIP
IR2121PBF
IC MOSFET DRIVER LOW SIDE 8DIP
IR2122
IC MOSFET DRIVER HIGH-SIDE 8-DIP
IR2125PBF
IC MOSFET DRIVER LIMITING 8-DIP
IR21271PBF
IC DRIVER 600V 200/420MA 8-DIP
IR2132JTRPBF
IC DRIVER BRIDGE 3-PHASE 44-PLCC
相关代理商/技术参数
IR2111S
功能描述:IC DRIVER HALF-BRIDGE 8-SOIC RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关 系列:- 标准包装:50 系列:- 配置:低端 输入类型:非反相 延迟时间:40ns 电流 - 峰:9A 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大（自引导启动）:- 电源电压:4.5 V ~ 35 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-6，D²Pak（5 引线+接片），TO-263BA 供应商设备封装:TO-263 包装:管件
IR2111SPBF
功能描述:功率驱动器IC HALF BRDG DRVR 600V 650ns 200mA RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube
IR2111STR
功能描述:IC DRIVER HALF-BRIDGE 8-SOIC RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关 系列:- 标准包装:50 系列:- 配置:低端 输入类型:非反相 延迟时间:40ns 电流 - 峰:9A 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大（自引导启动）:- 电源电压:4.5 V ~ 35 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-6，D²Pak（5 引线+接片），TO-263BA 供应商设备封装:TO-263 包装:管件
IR2111STRPBF
功能描述:功率驱动器IC HALF BRDG DRVR 600V 650ns 200mA RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube
IR2112
功能描述:IC MOSFET DRVR HI/LO SIDE 14-DIP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关 系列:- 标准包装:50 系列:- 配置:高端 输入类型:非反相 延迟时间:200ns 电流 - 峰:250mA 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大（自引导启动）:600V 电源电压:12 V ~ 20 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:通孔 封装/外壳:8-DIP（0.300"，7.62mm） 供应商设备封装:8-DIP 包装:管件 其它名称:*IR2127
IR2112-1
功能描述:IC MOSFET DRVR HI/LO SIDE 14-DIP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关 系列:- 标准包装:50 系列:- 配置:低端 输入类型:非反相 延迟时间:40ns 电流 - 峰:9A 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大（自引导启动）:- 电源电压:4.5 V ~ 35 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-6，D²Pak（5 引线+接片），TO-263BA 供应商设备封装:TO-263 包装:管件
IR2112-1PBF
功能描述:功率驱动器IC HI LO SIDE DRVR 600V 200mA 135ns RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube
IR2112-2
功能描述:IC MOSFET DRVR HI/LO SIDE 16-DIP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关 系列:- 标准包装:50 系列:- 配置:低端 输入类型:非反相 延迟时间:40ns 电流 - 峰:9A 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大（自引导启动）:- 电源电压:4.5 V ~ 35 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-6，D²Pak（5 引线+接片），TO-263BA 供应商设备封装:TO-263 包装:管件
